深色紫外LED燈珠的原理和特點是什么?

DUVLED燈珠">DUVLED燈珠原理及特性
1、DUVLED燈珠的發光機理：PN結的端電壓形成一定的勢壘，當加正偏壓時勢壘減小，P區和N區的大都載流子相互分散。由于電子遷移率遠大于空穴遷移率，因此在P區內會出現大量電子分布，并在P區形成少量載體。這類電子與價帶上的空穴復合，并通過光能的方式釋放出合成后的能量。也就是PN結發光原理。DUVLED燈珠線光源固化設備DUV燈珠線光源固化設備
2、DUV燈珠發光功率：通常稱為組件的外部量子功率，它是組件內部量子功率與組件取出功率的乘積。我們所說的組件的內部量子功率，本來就是組件本身的光電轉換功率，首先涉及到組件本身的特性(如能帶、缺陷、雜質等)，以及組件本身的壘晶結構和構造等。但組件取出能量指的是組件內部產生的光子，經過組件本身的吸收、折射、反射后，實際操作中組件外部可測量的光子數。因此，對于取出功率的影響因素包括元件本身的吸收率、元件的幾何結構、元件和封裝元件的折射率差以及元件結構的散射特性等。其中，內部量子功率是組件取力的乘積，即是組件整體發光的部分，也就是組件外部量子功率。前期組件開展會集過程中，提高其內部量子功率，首先的方法是通過提高壘晶質量和改變壘晶結構，使電能不易轉化為熱能，進而直接提高深紫外LED燈珠的發光功率，然后再提高70%的理論內部量子功率，但如此的內部量子功率現在幾乎接近理論極限。這樣的話，光靠進步元件的內部量子功率就不可能提高元件的總光量，所以進步元件的取出光能就成為首要的研究課題?，F在最主要的方法是：改變晶粒的外部形狀——TIP結構，改變表面粗糙度。

3.深紫外LED燈珠電氣特性：電流控制型裝置，負載特性與PN結的UI曲線相似，導通電壓的極小變化將導致正向電流(指數級)的顯著變化，反向漏電流較小，還有反向擊穿電壓。應選擇適合實際使用的方法。隨著溫度的增加，深紫外LED燈珠的正向電壓減小，且溫度系數為負值。深色紫外LED燈珠耗電，部分轉換成光能，這正是我們所需要的。其余轉化熱能，使結溫增加?？梢杂盟尫诺臒崃?功率)表示。
4.深紫外LED燈珠的光學特性：深紫外LED燈珠提供一種半寬度的單色光，由于半導體的能隙隨著溫度的升高而減小，因此其發光的峰值波長隨著溫度的升高而增加，即光譜紅移，溫度系數為+2~3A/。深色紫外LED珠光亮度L隨正向電流而變化。提高電流，可以近似提高發光亮度;環境溫度越高，復合功率越低，發光強度越低，其他發光亮度也越低。深紫外LED燈珠熱學特性：電流較小，溫度升高不明顯。當環境溫度較高時，深紫外發光燈珠的主波波長會發生紅移，亮度降低，發光均勻度下降，一致性變差。特殊點陣、大屏溫升對LED的可靠性、穩定性有較大影響。因此散熱設計是關鍵。
深紫外LED燈珠壽命：深紫外LED燈珠長期工作會導致光衰老化，尤其是大功率深紫外LED燈珠，光衰問題更為嚴重。當測量深紫外LED燈珠的壽命時，僅僅把燈泡的損壞程度作為深紫外LED燈珠壽命的終止值是遠遠不夠的，應該用深紫外LED燈珠的光衰百分比來表示LED的壽命，比如35%，這樣比較合理。高功率深紫外發光二極管封裝：首先考慮散熱和出光。在散熱方面，采用銅基散熱襯，再與鋁基散熱器連接，晶粒與熱襯之間采用錫片焊接，該散熱方式效果更好，性價比更高。出光方面，選擇芯片倒裝技能，并在底面和旁面增加反射面來反射糟蹋光能，這樣就能得到更多有消出光。